2SK833 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SK833

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для 2SK833

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK833 даташит

 ..1. Size:143K  nec
 2sk833.pdf pdf_icon

2SK833

 9.1. Size:145K  nec
 2sk831.pdf pdf_icon

2SK833

Другие IGBT... 2SK3688-01L, 2SK3688-01S, 2SK3688-01SJ, 2SK3689-01, 2SK3690-01, 2SK3691-01MR, 2SK819, 2SK831, IRF4905, 2SK849, 2SK851, 2SK854, 2SK855, 2SK856, 2SK858, 2SK859, 2SK867