2SK3694-01S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SK3694-01S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для 2SK3694-01S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3694-01S даташит

 ..1. Size:357K  inchange semiconductor
 2sk3694-01s.pdf pdf_icon

2SK3694-01S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3694-01S FEATURES Drain Current I = 17A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 450V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.38 (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and so

 0.1. Size:357K  inchange semiconductor
 2sk3694-01sj.pdf pdf_icon

2SK3694-01S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3694-01SJ FEATURES Drain Current I = 17A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 450V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.38 (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and s

 4.1. Size:257K  fuji
 2sk3694-01l-s-sj.pdf pdf_icon

2SK3694-01S

2SK3694-01L,S,SJ 200305 FUJI POWER MOSFET N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Super FAP-G Series Outline Drawings [mm] T-Pack Features High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof P4 Applications Switching regulators UPS (Uninterruptible Power Supply) DC-DC converters Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings (Tc=25

 4.2. Size:283K  inchange semiconductor
 2sk3694-01l.pdf pdf_icon

2SK3694-01S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3694-01L FEATURES Drain Current I = 17A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 450V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.38 (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and so

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK3512-01SJ, 2SK3513-01L, 2SK3513-01S, 2SK3513-01SJ, 2SK3556-01L, 2SK3556-01S, 2SK3556-01SJ, 2SK3694-01L, IRF1405, 2SK3694-01SJ, 2SK3695-01, 2SK3696-01MR, 2SK3697-01, 2SK3698-01, 2SK3709, 2SK3712, 2SK3712-Z