2SK1282-Z datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SK1282-Z datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SK1282-Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для 2SK1282-Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

2SK1282-Z даташит

..1. Size:379K nec
2sk1282 2sk1282-z.pdf pdf_icon

..2. Size:386K nec
2sk1282-z.pdf pdf_icon

8.1. Size:288K nec
2sk1283.pdf pdf_icon

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK1283 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET PACKAGE DRAWING (Unit mm) DESCRIPTION The 2SK1283 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed or 8.5 MAX. solenoid, motor and lamp driver. 3.2 0.2 2.8 MAX. FEATURES Low on-state resistance RDS(on) = 0.18 MAX. (VGS = 10 V, ID = 2 A) RDS(on) = 0.24 MAX. (VGS = 4 V, ID = 2

8.2. Size:300K nec
2sk1285.pdf pdf_icon

DATA SHEET N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR 2SK1285 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION PACKAGE DRAWING (Unit mm) The 2SK1285 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for solenoid, motor and lamp driver. 8.5 MAX. 3.2 0.2 2.8 MAX. FEATURES Low on-state resistance RDS(on) = 0.32 MAX. (VGS = 10 V, ID = 2 A) RDS(on) = 0.40 MAX.