Справочник MOSFET. 2SK2896-01L

 

2SK2896-01L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK2896-01L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 930 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO262
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK2896-01L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:283K  inchange semiconductor
 2sk2896-01l.pdf pdf_icon

2SK2896-01L

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2896-01LFEATURESDrain Current : I = 45A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 12m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.

 0.1. Size:302K  fuji
 2sk2896-01l-01s.pdf pdf_icon

2SK2896-01L

2SK2896-01L,SFUJI POWER MOSFET200509N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFAP-IIIB SERIESOutline DrawingsFeaturesHigh speed switching T-pack(L) T-pack(S)Low on-resistanceNo secondary breakdownLow driving powerAvalanche-proofApplicationsSwitching regulators DC-DC convertersGeneral purpose power amplifierMaximum ratings and characteristicsEquivalent circuit schematicAb

 4.1. Size:357K  inchange semiconductor
 2sk2896-01s.pdf pdf_icon

2SK2896-01L

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2896-01SFEATURESDrain Current : I = 45A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 12m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.

 8.1. Size:222K  1
 2sk2890-01.pdf pdf_icon

2SK2896-01L

N-channel MOS-FET2SK2890-01FAP-IIIB Series 30V 0,0105 50A 50W> Features > Outline Drawing- High Current- Low On-Resistance- No Secondary Breakdown- Low Driving Power- Avalanche Rated> Applications- Motor Control- General Purpose Power Amplifier- DC-DC converters> Maximum Ratings and Characteristics- Absolute Maximum Ratings (TC=25C), unless otherwise specified

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: BF980A | AP50T10GP-HF | GSM4435WS

 

 
Back to Top

 


 
.