2SK3581-01S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2SK3581-01S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.46 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для 2SK3581-01S
2SK3581-01S Datasheet (PDF)
2sk3581-01l-s-sj.pdf

2SK3581-01L,S,SJ200304FUJI POWER MOSFET N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETOutline Drawings [mm]Super FAP-G SeriesFeaturesHigh speed switchingLow on-resistanceNo secondary breadownLow driving powerAvalanche-proofP4ApplicationsSwitching regulatorsUPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC convertersMaximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C unle
2sk3581l.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3581LFEATURESDrain Current : I = 16A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.46(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solen
2sk3581s.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3581SFEATURESDrain Current : I = 16A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.46(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solen
Другие MOSFET... 2SK2902-01MR , 2SK2903-01MR , 2SK2904-01 , 2SK2905-01R , 2SK2906-01 , 2SK2907-01R , 2SK3580-01MR , 2SK3581-01L , K3569 , 2SK3581-01SJ , 2SK3586-01 , 2SK3587-01MR , 2SK3588-01L , 2SK3588-01S , 2SK3588-01SJ , 2SK3589-01 , 2SK3590-01 .
History: DHESJ17N65 | HGN080N08SL | DH060N07D | BL3N90-U | IPA65R600E6 | AM2324N | ELM32403LA
History: DHESJ17N65 | HGN080N08SL | DH060N07D | BL3N90-U | IPA65R600E6 | AM2324N | ELM32403LA



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
mpsa56 transistor | transistor 2222a | 8050 transistor | bc238 | 2sb772 | 2n2222a-1726 datasheet | bc516 | 2n3391 equivalent