2SK3588-01SJ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2SK3588-01SJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 270 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 73 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 35 ns
Выходная емкость (Cd): 460 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.025 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для 2SK3588-01SJ
2SK3588-01SJ Datasheet (PDF)
2sk3588-01l-s-sj.pdf
2SK3588-01L,S,SJ200304FUJI POWER MOSFETN-CHANNEL SILICON POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesOutline Drawings (mm)FeaturesHigh speed switchingLow on-resistanceNo secondary breadownLow driving powerAvalanche-proofSee to p4ApplicationsSwitching regulatorsUPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC convertersMaximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25
2sk3588s.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3588SFEATURESDrain Current : I = 50A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 25m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno
2sk3588l.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3588LFEATURESDrain Current : I = 50A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 25m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
