2SK3592-01SJ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SK3592-01SJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для 2SK3592-01SJ
2SK3592-01SJ Datasheet (PDF)
2sk3592-01l-s-sj.pdf

2SK3592-01L,S,SJ200304FUJI POWER MOSFETN-CHANNEL SILICON POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesOutline Drawings (mm)FeaturesHigh speed switchingLow on-resistanceNo secondary breadownLow driving powerAvalanche-proofSee to P4ApplicationsSwitching regulatorsUPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC convertersMaximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25
2sk3592l.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3592LFEATURESDrain Current : I = 57A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 150V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 41m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno
2sk3592s.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3592SFEATURESDrain Current : I = 57A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 150V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 41m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno
Другие MOSFET... 2SK3588-01L , 2SK3588-01S , 2SK3588-01SJ , 2SK3589-01 , 2SK3590-01 , 2SK3591-01MR , 2SK3592-01L , 2SK3592-01S , IRF9540N , 2SK3593-01 , 2SK3927-01L , 2SK3927-01S , 2SK3927-01SJ , 2SK3928-01 , 2SK3930-01L , 2SK3930-01S , 2SK3930-01SJ .
History: SFP045N100BC3 | NVMFD5875NL | RSS100N03FU6TB | GP1M010A080N | NTD5414NT4G | AFP3403 | BUK768R3-60E
History: SFP045N100BC3 | NVMFD5875NL | RSS100N03FU6TB | GP1M010A080N | NTD5414NT4G | AFP3403 | BUK768R3-60E



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sc539 | 2n5401 transistor equivalent | p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b