Справочник MOSFET. IRF9Z34S

 

IRF9Z34S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF9Z34S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 620 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF9Z34S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:334K  international rectifier
 irf9z34s.pdf pdf_icon

IRF9Z34S

PD - 9.913AIRF9Z34S/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Surface Mount (IRF9Z34S)VDSS = -60V Low-profile through-hole (IRF9Z34L) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.14 Fast SwitchingG P- ChannelID = -18A Fully Avalanche RatedSDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve

 ..2. Size:168K  vishay
 irf9z34s sihf9z34s irf9z34l sihf9z34l.pdf pdf_icon

IRF9Z34S

IRF9Z34S, SiHF9Z34S, IRF9Z34L, SiHF9Z34LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) - 60 Advanced Process TechnologyRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.14 Surface Mount (IRF9Z34S, SiHF9Z34S)Qg (Max.) (nC) 34 Low-Profile Through-Hole (IRF9Z34L, SiHF9Z34L) 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 9.9

 ..3. Size:193K  vishay
 irf9z34spbf sihf9z34l sihf9z34s.pdf pdf_icon

IRF9Z34S

IRF9Z34S, SiHF9Z34S, IRF9Z34L, SiHF9Z34LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) - 60 Advanced Process TechnologyRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.14 Surface Mount (IRF9Z34S, SiHF9Z34S)Qg (Max.) (nC) 34 Low-Profile Through-Hole (IRF9Z34L, SiHF9Z34L) 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 9.9

 7.1. Size:108K  international rectifier
 irf9z34n.pdf pdf_icon

IRF9Z34S

PD - 9.1485BIRF9Z34NHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Dynamic dv/dt RatingVDSS = -55V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 0.10 P-ChannelG Fully Avalanche RatedID = -19ADescription SFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon are

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF9Z24S , IRF9Z25 , IRF9Z30 , IRF9Z32 , IRF9Z34 , IRF9Z34N , IRF9Z34NL , IRF9Z34NS , IRFB3607 , IRF9Z35 , IRFB11N50A , IRFB9N30A , IRFB9N60A , IRFB9N65A , IRFBA1404 , IRFBA22N50A , IRFBA35N60C .

History: IXTK20N150 | SWK028P04VT | AP55T10GH-HF | 2SK610 | 2SK2525-01 | 2SK3479-Z | STM6930A

 

 
Back to Top

 


 
.