2SK3921-01L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SK3921-01L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 67 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для 2SK3921-01L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3921-01L даташит

 ..1. Size:283K  inchange semiconductor
 2sk3921-01l.pdf pdf_icon

2SK3921-01L

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3921-01L FEATURES Drain Current I = 67A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 120V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 30m (Max) @V =10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solen

 0.1. Size:227K  fuji
 2sk3921-01l-s-sj.pdf pdf_icon

2SK3921-01L

2SK3921-01L,S,SJ FUJI POWER MOSFET 200509 N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Super FAP-G Series Outline Drawings [mm] Features High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators DC-DC converters UPS (Uninterruptible Power Supply) See to P4 Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings (Tc=25 C

 4.1. Size:357K  inchange semiconductor
 2sk3921-01sj.pdf pdf_icon

2SK3921-01L

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3921-01SJ FEATURES Drain Current I = 67A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 120V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 30m (Max) @V =10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and sole

 4.2. Size:357K  inchange semiconductor
 2sk3921-01s.pdf pdf_icon

2SK3921-01L

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3921-01S FEATURES Drain Current I = 67A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 120V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 30m (Max) @V =10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solen

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK3933-01S, 2SK3933-01SJ, 2SK3983-01L, 2SK3983-01S, 2SK3983-01SJ, 2SK3924-01L, 2SK3924-01S, 2SK3924-01SJ, BS170, 2SK3921-01S, 2SK3921-01SJ, 2SK3598-01, 2SK3600-01L, 2SK3600-01S, 2SK3600-01SJ, 2SK3601-01, 2SK3602-01