Справочник MOSFET. 2SK3606-01

 

2SK3606-01 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK3606-01
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 2.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3606-01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:101K  fuji
 2sk3606-01.pdf pdf_icon

2SK3606-01

2SK3606-01200304FUJI POWER MOSFETN-CHANNEL SILICON POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesOutline Drawings (mm)FeaturesTO-220ABHigh speed switchingLow on-resistanceNo secondary breadownLow driving powerAvalanche-proofApplicationsSwitching regulatorsUPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC convertersMaximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C unl

 ..2. Size:288K  inchange semiconductor
 2sk3606-01.pdf pdf_icon

2SK3606-01

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3606-01FEATURESDrain Current : I = 13A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 170m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand sol

 8.1. Size:68K  renesas
 2sk360.pdf pdf_icon

2SK3606-01

2SK360 Silicon N-Channel MOS FET REJ03G0811-0200 (Previous ADE-208-1170) Rev.2.00 Aug.10.2005 Application VHF amplifier Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK) 1. Gate32. Drain3. Source12Rev.2.00, Aug 10.2005, page 1 of 5 2SK360 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Item Symbol Ratings UnitDrain to source voltage VDSX*1 20 VG

 8.2. Size:97K  fuji
 2sk3601-01.pdf pdf_icon

2SK3606-01

2SK3601-01200304FUJI POWER MOSFETN-CHANNEL SILICON POWER MOSFETOutline Drawings (mm)Super FAP-G SeriesFeaturesHigh speed switchingLow on-resistanceNo secondary breadownLow driving powerAvalanche-proofApplicationsSwitching regulatorsUPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC convertersMaximum ratings and characteristicFoot Print PatternAbsolute maximum ratings

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STF8236 | SSF11NS60UF

 

 
Back to Top

 


 
.