IRFBA1404. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRFBA1404
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 206 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1680 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm
Тип корпуса: SUPER220
Аналог (замена) для IRFBA1404
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFBA1404 даташит
irfba1404.pdf
PD - 93806 AUTOMOTIVE MOSFET IRFBA1404P Typical Applications HEXFET Power MOSFET Anti-lock Braking Systems (ABS) Electric Power Steering (EPS) Electric Braking D VDSS = 40V Radiator Fan Control Benefits Advanced Process Technology RDS(on) = 3.7m Ultra Low On-Resistance G Increase Current Handling Capability ID = 206A 175 C Operating Temperature S Fast Switchi
irfba1404ppbf.pdf
PD - 95903A IRFBA1404PPbF HEXFET Power MOSFET Typical Applications Industrial Motor Drive D VDSS = 40V Benefits RDS(on) = 3.7m l Advanced Process Technology G l Ultra Low On-Resistance ID = 206A l Increase Current Handling Capability S l 175 C Operating Temperature l Fast Switching l Dynamic dv/dt Rating l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax l Lead-Free Descri
irfba1405p.pdf
PD -94111 AUTOMOTIVE MOSFET IRFBA1405P Typical Applications Electric Power Steering (EPS) Anti-lock Braking System (ABS) HEXFET Power MOSFET Wiper Control D Climate Control VDSS = 55V Power Door Benefits Advanced Process Technology RDS(on) = 5.0m Ultra Low On-Resistance G Dynamic dv/dt Rating ID = 174AV 175 C Operating Temperature S Fast Switching Repetitiv
auirfba1405.pdf
PD-97768 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFBA1405 HEXFET Power MOSFET Features l Advanced Planar Technology D V(BR)DSS 55V l Low On-Resistance RDS(on) typ. 4.3m l Dynamic dv/dt Rating l 175 C Operating Temperature max 5.0m G l Fast Switching ID (Silicon Limited) 174A l Fully Avalanche Rated ID (Package Limited) 95A l Repetitive Avalanche Allowed S up to Tjmax l Lead-Free, RoHS
Другие MOSFET... IRF9Z34NL , IRF9Z34NS , IRF9Z34S , IRF9Z35 , IRFB11N50A , IRFB9N30A , IRFB9N60A , IRFB9N65A , IRF1407 , IRFBA22N50A , IRFBA35N60C , IRFBC20 , IRFBC20L , IRFBC20S , IRFBC30 , IRFBC30A , IRFBC30AS .
History: IRFE420
History: IRFE420
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: HAF1008S | HAF1008L | EMZB08P03H | CS30N20FA9R | AOT66613L | AOSP21313C | AOSP21311C | AOB66918L | AO3415C | AOTF20N40L | AOTF11N60L | AOT11N60L | AONS21303C | AOI280A60 | AOB66914L | AO3485C
Popular searches
2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet





