Справочник MOSFET. 2SK3726-01MR

 

2SK3726-01MR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK3726-01MR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3726-01MR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:111K  fuji
2sk3726-01mr.pdfpdf_icon

2SK3726-01MR

2SK3726-01MR200305FUJI POWER MOSFETN-CHANNEL SILICON POWER MOSFETSuper FAP-G Series Outline Drawings [mm]TO-220FFeaturesHigh speed switchingLow on-resistanceNo secondary breadownLow driving powerAvalanche-proofApplicationsSwitching regulatorsUPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC convertersMaximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C unl

 ..2. Size:288K  inchange semiconductor
2sk3726-01mr.pdfpdf_icon

2SK3726-01MR

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3726-01MRFEATURESDrain Current : I = 3.0A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 450V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 2.5(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand s

 8.1. Size:183K  toshiba
2sk372.pdfpdf_icon

2SK3726-01MR

2SK372 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK372 For Audio Amplifier, Analog-Switch, Constant Current Unit: mmand Impedance Converter Applications High breakdown voltage: VGDS = -40 V High input impedance: I = -1.0 nA (max) (V = -30 V) GSS GS Low R : R = 20 (typ.) (I = 15 mA) DS (ON) DS (ON) DSS Small package Maximum Rating

 8.2. Size:110K  fuji
2sk3725-01.pdfpdf_icon

2SK3726-01MR

2SK3725-01200305FUJI POWER MOSFETN-CHANNEL SILICON POWER MOSFETSuper FAP-G Series Outline Drawings [mm]TO-220ABFeaturesHigh speed switchingLow on-resistanceNo secondary breadownLow driving powerAvalanche-proofApplicationsSwitching regulatorsUPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC convertersMaximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C unle

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IPI80N06S4L-05 | IPB180N04S4-01 | VBZFB12P10 | CM4N60F | SI8497DB | TK7A90E | IRHY9130CM

 

 
Back to Top

 


 
.