Справочник MOSFET. 2SK3727-01

 

2SK3727-01 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK3727-01
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 36 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3727-01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:98K  fuji
2sk3727-01.pdfpdf_icon

2SK3727-01

2SK3727-01200305FUJI POWER MOSFETN-CHANNEL SILICON POWER MOSFETSuper FAP-G Series Outline Drawings [mm]TO-220ABFeaturesHigh speed switchingLow on-resistanceNo secondary breadownLow driving powerAvalanche-proofApplicationsSwitching regulatorsUPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC convertersMaximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C unle

 ..2. Size:289K  inchange semiconductor
2sk3727-01.pdfpdf_icon

2SK3727-01

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3727-01FEATURESDrain Current : I = 2.2A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 900V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 8.0(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand sol

 8.1. Size:183K  toshiba
2sk372.pdfpdf_icon

2SK3727-01

2SK372 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK372 For Audio Amplifier, Analog-Switch, Constant Current Unit: mmand Impedance Converter Applications High breakdown voltage: VGDS = -40 V High input impedance: I = -1.0 nA (max) (V = -30 V) GSS GS Low R : R = 20 (typ.) (I = 15 mA) DS (ON) DS (ON) DSS Small package Maximum Rating

 8.2. Size:111K  fuji
2sk3726-01mr.pdfpdf_icon

2SK3727-01

2SK3726-01MR200305FUJI POWER MOSFETN-CHANNEL SILICON POWER MOSFETSuper FAP-G Series Outline Drawings [mm]TO-220FFeaturesHigh speed switchingLow on-resistanceNo secondary breadownLow driving powerAvalanche-proofApplicationsSwitching regulatorsUPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC convertersMaximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C unl

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: APT10086BVR | NTD80N02 | FMP06N60ES | SI3459BDV | IRFB17N20D | SML802R4KN | HA20N50

 

 
Back to Top

 


 
.