Справочник MOSFET. 2SK727

 

2SK727 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK727
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK727 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:33K  fuji
2sk727.pdfpdf_icon

2SK727

 ..2. Size:236K  inchange semiconductor
2sk727.pdfpdf_icon

2SK727

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK727DESCRIPTIONDrain Current I =5A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =900V(Min)DSS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned especially for high voltage,high speed applications,such as off-line switching power supplies , UPS,AC and DCmotor c

 9.1. Size:133K  1
2sk724.pdfpdf_icon

2SK727

 9.2. Size:161K  nec
2sk720a.pdfpdf_icon

2SK727

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: RFL1N10L | STP55N06L | BUZ358 | STP33N65M2 | AUIRF2804 | SH8K12 | RFP12N06RLE

 

 
Back to Top

 


 
.