Справочник MOSFET. 2SK774

 

2SK774 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK774
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 620 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK774 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  nec
 2sk774.pdf pdf_icon

2SK774

 9.1. Size:671K  sanyo
 2sk775.pdf pdf_icon

2SK774

"2SK775""2SK775""2SK775""2SK775""2SK775""2SK775""2SK775""2SK775"

 9.2. Size:77K  sanyo
 2sk772.pdf pdf_icon

2SK774

Ordering number:EN2392AN-Channel Junction Silicon FET2SK772AF Amplifier ApplicationsApplications Package Dimensions Variable resistors, analog switches, AF amplifier,unit:mmconstant-current circuit.2034A[2SK772]2.24.0Features Adoption of FBET process.0.40.50.40.41 2 31 : Source1.3 1.32 : Gate3 : Drain3.03.8nom SANYO : SPASpecificationsAb

 9.3. Size:79K  sanyo
 2sk771.pdf pdf_icon

2SK774

Ordering number:EN2391N-Channel Junction Silicon FET2SK771Low-Frequency General-PurposeAmplifier ApplicationsApplications Package Dimensions Variable resistors, analog switches, AF amplifier,unit:mmconstant-current circuit.2050A[2SK771]Features0.40.16 Adoption of FBET process.3 Ultrasmall-sized package permitting sets to be made0 to 0.1smaller and sl

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SK3780-01 , 2SK3781-01R , 2SK3788-01 , 2SK3789-01R , 2SK3753-01R , 2SK727 , 2SK770 , 2SK773 , IRF1405 , 2SK791 , 2SK792 , 2SK794 , 2SK795 , 2SK382 , 2SK351 , 2SK1074 , 2SK1079 .

 

 
Back to Top

 


 
.