Справочник MOSFET. 2SK685

 

2SK685 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK685
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 240 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK685 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:45K  hitachi
 2sk685.pdf pdf_icon

2SK685

 9.1. Size:308K  1
 2sk680a.pdf pdf_icon

2SK685

 9.2. Size:444K  1
 2sk681a.pdf pdf_icon

2SK685

 9.3. Size:84K  1
 2sk68a.pdf pdf_icon

2SK685

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: P5102FM | 3SK232 | IRFS331 | IRFS251 | AOC2802

 

 
Back to Top

 


 
.