2SK3804-01S. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SK3804-01S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1050 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для 2SK3804-01S
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2SK3804-01S даташит
2sk3804-01s.pdf
2SK3804-01S FUJI POWER MOSFET N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Trench Power MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic High speed switching Low on-resistance Drain (D) No secondary breakdown Low driving power Avalanche-proof Applications Gate (G) Switching regulators Source (S) DC-DC converters General purpose power amplifier Abso
2sk3804-01s.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3804-01S FEATURES Drain Current I = 70A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 75V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 8.5m (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and sol
2sk3800.pdf
MOS FET 2SK3800 Absolute Maximum Ratings Electrical Characteristics External Dimensions TO220S (Ta=25 C) (Ta=25 C) Symbol Ratings Unit Ratings Symbol Test Conditions Unit min typ max V 40 V DSS 4.44 0.2 (5) 1.3 0.2 V 20 V V I = 100 A, V = 0V V GSS (BR) DSS D GS 40 I 70 A I V = 15V 10 A D GSS GS V = 40V, V = 0V A I *1 140 A I DS GS 100 D (pulse) DSS 2.6 0.2
2sk3801.pdf
MOS FET 2SK3801 Absolute Maximum Ratings Electrical Characteristics External Dimensions TO-3P (Ta=25 C) (Ta=25 C) Symbol Ratings Unit Ratings Symbol Test Conditions Unit 15.6 0.4 min typ max V 40 V 4.8 0.2 DSS 13.6 V 20 V V I = 100 A, V = 0V GSS (BR) DSS D GS 40 V 9.6 2.0 0.1 I 70 A I V = 15V 10 A D GSS GS A I *1 140 V = 40V, V = 0V 100 D (pulse) A I DS GS D
Другие MOSFET... 2SK513 , 2SK520 , 2SK277 , 2SK278 , 2SK293 , 2SK298 , 2SK299 , 2SK1805 , IRF2807 , 2SK1819-01MR , 2SK1943-01 , 2SK1949L , 2SK1949S , 2SK1952 , 2SK1975 , 2SK2957L , 2SK2957S .
History: AOC3860 | IRLHS6276 | 2N7002M3T5G | SM4915PSK | STE36N50A | IRF7905 | STC6301D
History: AOC3860 | IRLHS6276 | 2N7002M3T5G | SM4915PSK | STE36N50A | IRF7905 | STC6301D
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sa1294 datasheet | mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent | 2n554 | 2sa1011 | 2sa1283 | 2sb646



