2SK3804-01S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2SK3804-01S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 140 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1050 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: TO263
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
2SK3804-01S Datasheet (PDF)
2sk3804-01s.pdf

2SK3804-01S FUJI POWER MOSFET N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Trench Power MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic High speed switching Low on-resistance Drain (D) No secondary breakdown Low driving power Avalanche-proof Applications Gate (G) Switching regulators Source (S) DC-DC converters General purpose power amplifier Abso
2sk3804-01s.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3804-01SFEATURESDrain Current : I = 70A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 75V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 8.5m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand sol
2sk3800.pdf

MOS FET 2SK3800Absolute Maximum Ratings Electrical Characteristics External Dimensions TO220S(Ta=25C) (Ta=25C)Symbol Ratings Unit RatingsSymbol Test Conditions Unitmin typ maxV 40 VDSS4.440.2(5) 1.30.2V 20 V V I = 100A, V = 0V VGSS (BR) DSS D GS 40I 70 A I V = 15V 10 AD GSS GSV = 40V, V = 0V AI *1 140 A I DS GS 100D (pulse) DSS2.60.2
2sk3801.pdf

MOS FET 2SK3801Absolute Maximum Ratings Electrical Characteristics External Dimensions TO-3P(Ta=25C) (Ta=25C)Symbol Ratings Unit RatingsSymbol Test Conditions Unit 15.60.4min typ maxV 40 V 4.80.2DSS13.6V 20 V V I = 100A, V = 0VGSS (BR) DSS D GS 40 V9.6 2.00.1I 70 A I V = 15V 10 AD GSS GSAI *1 140 V = 40V, V = 0V 100D (pulse) A I DS GSD
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: HCD80R1K2 | 2SK4108 | CM20N50P | JCS2N60MB | 2SK2424 | P0908ATF | AP9997GP-HF
History: HCD80R1K2 | 2SK4108 | CM20N50P | JCS2N60MB | 2SK2424 | P0908ATF | AP9997GP-HF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sa1294 datasheet | mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent | 2n554 | 2sa1011 | 2sa1283 | 2sb646