2V7002W. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2V7002W
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.28 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.34 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 4.2 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
Тип корпуса: SOT323
Аналог (замена) для 2V7002W
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2V7002W даташит
2n7002w 2v7002w.pdf
2N7002W, 2V7002W Small Signal MOSFET 60 V, 340 mA, Single, N-Channel, SC-70 Features ESD Protected Low RDS(on) www.onsemi.com Small Footprint Surface Mount Package 2V Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and (Note 1) PPAP Capable 1.6 W @ 10 V These Devi
2v7002w 2n7002w.pdf
2N7002W, 2V7002W Small Signal MOSFET 60 V, 340 mA, Single, N-Channel, SC-70 Features ESD Protected Low RDS(on) www.onsemi.com Small Footprint Surface Mount Package 2V Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and (Note 1) PPAP Capable 1.6 W @ 10 V These Devi
2v7002k 2n7002k.pdf
2N7002K, 2V7002K Small Signal MOSFET 60 V, 380 mA, Single, N-Channel, SOT-23 Features ESD Protected Low RDS(on) www.onsemi.com Surface Mount Package 2V Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and 1.6 W @ 10 V PPAP Capable 60 V 380 mA 2.5 W @ 4.5 V These D
2n7002k 2v7002k.pdf
2N7002K, 2V7002K Small Signal MOSFET 60 V, 380 mA, Single, N-Channel, SOT-23 Features ESD Protected Low RDS(on) www.onsemi.com Surface Mount Package 2V Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and 1.6 W @ 10 V PPAP Capable 60 V 380 mA 2.5 W @ 4.5 V These D
Другие MOSFET... 2SJ172 , 2SJ173 , 2SJ174 , 2SJ687 , 2SJ687-ZK , 2SJ690 , 2V7002K , 2V7002L , IRFP064N , 2SJ650 , 2SJ651 , 2SJ652-1E , 2SJ661-1E , 2SJ661-DL-1E , 2SJ661-DL-E , 2SJ673 , 2SJ683 .
History: 2N65G-TN3-R | 2SK1974 | VBA1615
History: 2N65G-TN3-R | 2SK1974 | VBA1615
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet | c535 transistor






