2SJ602-Z MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2SJ602-Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 240 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.073 Ohm
Тип корпуса: TO263
2SJ602-Z Datasheet (PDF)
2sj602-zj.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel MOSFET2SJ602-ZJ Features VDS (V) =-60V ID =-20A RDS(ON) 73m (VGS =-10V) RDS(ON) 107m (VGS =-4V) Low Ciss: Ciss = 1300 pF (TYP.)DrainBodyGate DiodeGateProtectionSourceDiode Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -60V Gate-Source Voltage VGS 2
2sj602-s-z-zj.pdf
To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
2sj602.pdf
DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SJ602SWITCHINGP-CHANNEL POWER MOS FETDESCRIPTION ORDERING INFORMATION The 2SJ602 is P-channel MOS Field Effect Transistor designedPART NUMBER PACKAGEfor solenoid, motor and lamp driver.2SJ602 TO-220AB2SJ602-S TO-262FEATURES2SJ602-ZJ TO-263 Super low on-state resistance:NoteRDS(on)1 = 73 m MAX. (VGS = -10 V, ID = -10 A) 2S
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
