Справочник MOSFET. 2SJ294

 

2SJ294 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SJ294
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: TO220FM
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SJ294 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:25K  hitachi
 2sj294.pdf pdf_icon

2SJ294

2SJ294Silicon P Channel MOS FETApplicationTO220FMHigh speed power switchingFeatures Low onresistance High speed switching2 Low drive current123 4 V gate drive device can be driven from15 V source Suitable for Switching regulator, DC DC 1. Gateconverter2. Drain Avalanche Ratings3. Source3Table 1 Absolute Maximum Ratings (T

 9.1. Size:22K  hitachi
 2sj292.pdf pdf_icon

2SJ294

2SJ292Silicon P-Channel MOS FETNovember 1996ApplicationHigh speed power switchingFeatures Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Suitable for switching regulator, DC-DC converter Avalanche ratingsOutlineTO-220AB1D231. Gate G2. Drain (Flange) 3. SourceS2SJ292

 9.2. Size:30K  hitachi
 2sj293.pdf pdf_icon

2SJ294

2SJ293Silicon P-Channel MOS FETNovember 1996ApplicationHigh speed power switchingFeatures Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Suitable for switching regulator, DC-DC converter Avalanche ratingsOutlineTO-220FMD1231. Gate G2. Drain 3. SourceS2SJ293Absolute Ma

 9.3. Size:50K  hitachi
 2sj296l-s.pdf pdf_icon

2SJ294

www.DataSheet4U.com2SJ296(L), 2SJ296(S)Silicon P-Channel MOS FETNovember 1996ApplicationHigh speed power switchingFeatures Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Suitable for switching regulator, DC-DC converter Avalanche ratingsOutlineLDPAK44123123DG1. Gate

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: PMR290UNE | IRF7807PBF-1 | 2SJ360 | HM50N15 | XP152A12COMR | TPM1012ER3 | 7788

 

 
Back to Top

 


 
.