2SJ294 - аналоги и даташиты транзистора

 

2SJ294 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2SJ294
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: TO220FM
 

 Аналог (замена) для 2SJ294

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SJ294 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:25K  hitachi
 2sj294.pdf pdf_icon

2SJ294

2SJ294Silicon P Channel MOS FETApplicationTO220FMHigh speed power switchingFeatures Low onresistance High speed switching2 Low drive current123 4 V gate drive device can be driven from15 V source Suitable for Switching regulator, DC DC 1. Gateconverter2. Drain Avalanche Ratings3. Source3Table 1 Absolute Maximum Ratings (T

 9.1. Size:22K  hitachi
 2sj292.pdf pdf_icon

2SJ294

2SJ292Silicon P-Channel MOS FETNovember 1996ApplicationHigh speed power switchingFeatures Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Suitable for switching regulator, DC-DC converter Avalanche ratingsOutlineTO-220AB1D231. Gate G2. Drain (Flange) 3. SourceS2SJ292

 9.2. Size:30K  hitachi
 2sj293.pdf pdf_icon

2SJ294

2SJ293Silicon P-Channel MOS FETNovember 1996ApplicationHigh speed power switchingFeatures Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Suitable for switching regulator, DC-DC converter Avalanche ratingsOutlineTO-220FMD1231. Gate G2. Drain 3. SourceS2SJ293Absolute Ma

 9.3. Size:50K  hitachi
 2sj296l-s.pdf pdf_icon

2SJ294

www.DataSheet4U.com2SJ296(L), 2SJ296(S)Silicon P-Channel MOS FETNovember 1996ApplicationHigh speed power switchingFeatures Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Suitable for switching regulator, DC-DC converter Avalanche ratingsOutlineLDPAK44123123DG1. Gate

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SJ246L , 2SJ246S , 2SJ279L , 2SJ279S , 2SJ280L , 2SJ280S , 2SJ292 , 2SJ293 , IRFP450 , 2SJ295 , 2SJ494 , 2SJ495 , 2SJ498 , 2SJ557A , 2SJ472-01L , 2SJ472-01S , 2SJ473-01L .

History: STB3NK60Z | BSS806NE | 4N60KL-TMS-T | PMPB33XN | AP01L60H | IRFU220NPBF | SIHF9Z24L

 

 
Back to Top

 


 
.