2SJ332S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SJ332S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 2SJ332S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SJ332S даташит

 8.1. Size:77K  hitachi
 2sj332l-s.pdf pdf_icon

2SJ332S

www.DataSheet4U.com 2SJ332(L), 2SJ332(S) Silicon P-Channel MOS FET November 1996 Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Suitable for switching regulator, DC-DC converter Outline DPAK-2 4 4 1 2 3 1 2 3 D 1. Gate G 2. Drain 3. Source

 9.1. Size:112K  toshiba
 2sj338.pdf pdf_icon

2SJ332S

2SJ338 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type 2SJ338 Audio Frequency Power Amplifier Application Unit mm High breakdown voltage VDSS = -180 V High forward transfer admittance Y = 0.7 S (typ.) fs Complementary to 2SK2162 Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-source voltage VDSS -180 V Gate-source voltage VGSS

 9.2. Size:427K  toshiba
 2sj334.pdf pdf_icon

2SJ332S

2SJ334 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L2- -MOSV) 2SJ334 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Unit mm Applications 4-V gate drive Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 29 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 23 S (typ.) Low leakage current IDSS = -100 A (max) (VDS = -60 V) Enhancement mode Vth = -0

 9.3. Size:98K  sanyo
 2sj337.pdf pdf_icon

2SJ332S

Ordering number EN4669 P-Channel Silicon MOSFET 2SJ337 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2083B Low-voltage drive. [2SJ337] 6.5 2.3 5.0 0.5 4 0.85 0.7 1.2 1 Gate 0.6 0.5 2 Drain 1 2 3 3 Source 4 Drain 2.3 2.3 SANYO TP unit mm 2092B [2SJ337] 6.5 2.3 5.0 0.5

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SJ314-01L, 2SJ314-01S, 2SJ324-Z, 2SJ325-Z, 2SJ326-Z, 2SJ327-Z, 2SJ328-Z, 2SJ332L, IRFZ24N, 2SJ355, 2SJ357, 2SJ358, 2SJ358C, 2SJ389L, 2SJ389S, 2SJ409L, 2SJ409S