Справочник MOSFET. AO4290A

 

AO4290A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AO4290A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 345 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0064 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AO4290A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:380K  aosemi
ao4290a.pdfpdf_icon

AO4290A

AO4290ATM100V Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 15.5A Low RDS(ON) Logic Driven RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:334K  aosemi
ao4294.pdfpdf_icon

AO4290A

AO4294100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 100V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 11.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:369K  aosemi
ao4296.pdfpdf_icon

AO4290A

AO4296TM 100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 13.5A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.3. Size:344K  aosemi
ao4294a.pdfpdf_icon

AO4290A

AO4294ATM 100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 11.5A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: CJ2306 | R6535KNZ1 | LND150K1 | VSE002N03MS-G | PHK04P02T | SM1A20NSFP | 2SK3430-ZJ

 

 
Back to Top

 


 
.