Справочник MOSFET. AO4292E

 

AO4292E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AO4292E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для AO4292E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO4292E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:394K  aosemi
 ao4292e.pdf pdf_icon

AO4292E

AO4292E100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 100V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 8A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:321K  aosemi
 ao4292.pdf pdf_icon

AO4292E

AO4292100V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS MV) technology 100V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 8A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:1401K  kexin
 ao4292.pdf pdf_icon

AO4292E

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO4292 (KO4292)SOP-8 Features VDS (V) = 100V ID = 8 A (VGS = 10V) RDS(ON) 23m (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 33m (VGS = 4.5V)1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateDGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 100V Gate

 9.1. Size:334K  aosemi
 ao4294.pdf pdf_icon

AO4292E

AO4294100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 100V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 11.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AO3495 , AO3498 , AO3499 , AO4262E , AO4264E , AO4266E , AO4268 , AO4290A , IRF630 , AO4294 , AO4294A , AO4296 , AO4402G , AO4405E , AO4423-L , AO4630 , AO4840E .

History: HFP50N06A

 

 
Back to Top

 


 
.