AOC2874 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AOC2874  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm

Тип корпуса: ALPHADFN0.97X0.97B 4

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AOC2874

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOC2874 даташит

 ..1. Size:365K  aosemi
 aoc2874.pdf pdf_icon

AOC2874

AOC2874 20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 20V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 8.1. Size:363K  aosemi
 aoc2870.pdf pdf_icon

AOC2874

AOC2870 20V Common-Drain Dual N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VSS Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 20V Low RSS(ON) Fully protected AlphaDFN package RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 9.1. Size:244K  aosemi
 aoc2800.pdf pdf_icon

AOC2874

AOC2800 Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Product Summary Vss 30V The AOC2800 uses advanced trench technology to provide ID (at VGS=4.5V) 6A excellent RSS(ON), low gate charge and operation with gate RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 9.2. Size:363K  aosemi
 aoc2804.pdf pdf_icon

AOC2874

AOC2804 20V Common-Drain Dual N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VSS Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 20V Low RSS(ON) IS (at VGS=4.5V) 4A With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOB2140L, AOB2146L, AOB2502L, AOB2904, AOB2906, AOB9N70L, AOC2804B, AOC2870, BS170, AOC3860, AOC3862, AOC3864, AOC3868, AOC3870, AOD409G, AOD424G, AOD442G