Справочник MOSFET. AOC2874

 

AOC2874 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOC2874
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
   Тип корпуса: ALPHADFN0.97X0.97B 4
 

 Аналог (замена) для AOC2874

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOC2874 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:365K  aosemi
 aoc2874.pdf pdf_icon

AOC2874

AOC287420V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 20V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 8.1. Size:363K  aosemi
 aoc2870.pdf pdf_icon

AOC2874

AOC287020V Common-Drain Dual N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 20V Low RSS(ON) Fully protected AlphaDFN package RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 9.1. Size:244K  aosemi
 aoc2800.pdf pdf_icon

AOC2874

AOC2800Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode FieldEffect TransistorGeneral Description Product SummaryVss 30VThe AOC2800 uses advanced trench technology to provide ID (at VGS=4.5V) 6Aexcellent RSS(ON), low gate charge and operation with gate RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 9.2. Size:363K  aosemi
 aoc2804.pdf pdf_icon

AOC2874

AOC280420V Common-Drain Dual N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 20V Low RSS(ON) IS (at VGS=4.5V) 4A With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOB2140L , AOB2146L , AOB2502L , AOB2904 , AOB2906 , AOB9N70L , AOC2804B , AOC2870 , AO3400 , AOC3860 , AOC3862 , AOC3864 , AOC3868 , AOC3870 , AOD409G , AOD424G , AOD442G .

 

 
Back to Top

 


 
.