AOD661 - описание и поиск аналогов

 

AOD661. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOD661

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm

Тип корпуса: TO-252-4L

Аналог (замена) для AOD661

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOD661 даташит

 ..1. Size:555K  aosemi
 aod661.pdf pdf_icon

AOD661

AOD661 30V Dual Complementary MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V -30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 12A -12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:369K  aosemi
 aod66643.pdf pdf_icon

AOD661

AOD66643 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 70A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:732K  aosemi
 aod66616.pdf pdf_icon

AOD661

AOD66616 60V N-Channel AlphaSGT TM General Description Product Summary VDS 60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 70A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.3. Size:365K  aosemi
 aod66406.pdf pdf_icon

AOD661

AOD66406/AOI66406 TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 60A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOC3868 , AOC3870 , AOD409G , AOD424G , AOD442G , AOD522P , AOD558 , AOD607A , IRFB3607 , AOD294A , AOD296A , AOD2146 , AOD2610E , AOD2904 , AOD2910E , AOD66406 , AOD4158P .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.