Справочник MOSFET. AOD661

 

AOD661 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOD661
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm
   Тип корпуса: TO-252-4L
 

 Аналог (замена) для AOD661

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOD661 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:555K  aosemi
 aod661.pdf pdf_icon

AOD661

AOD66130V Dual Complementary MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V -30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 12A -12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:369K  aosemi
 aod66643.pdf pdf_icon

AOD661

AOD66643TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 70A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:732K  aosemi
 aod66616.pdf pdf_icon

AOD661

AOD6661660V N-Channel AlphaSGT TMGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 70A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.3. Size:365K  aosemi
 aod66406.pdf pdf_icon

AOD661

AOD66406/AOI66406TM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 60A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOC3868 , AOC3870 , AOD409G , AOD424G , AOD442G , AOD522P , AOD558 , AOD607A , AON7506 , AOD294A , AOD296A , AOD2146 , AOD2610E , AOD2904 , AOD2910E , AOD66406 , AOD4158P .

History: SM2630DSC | STN2018 | AOT2608L

 

 
Back to Top

 


 
.