Справочник MOSFET. IRFD224

 

IRFD224 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFD224
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.63 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: HD-1
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFD224 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:927K  international rectifier
 irfd224pbf.pdf pdf_icon

IRFD224

PD- 95923IRFD224PbF Lead-Free10/29/04Document Number: 91132 www.vishay.com1IRFD224PbFDocument Number: 91132 www.vishay.com2IRFD224PbFDocument Number: 91132 www.vishay.com3IRFD224PbFDocument Number: 91132 www.vishay.com4IRFD224PbFDocument Number: 91132 www.vishay.com5IRFD224PbFDocument Number: 91132 www.vishay.com6IRFD224PbFDocument Number: 91

 ..2. Size:308K  international rectifier
 irfd224.pdf pdf_icon

IRFD224

PD -9.1272IRFD224HEXFET Power MOSFETDynamic dv/dt RatingRepetitive Avalanche RatedVDSS = 250VFor Automatic InsertionEnd StackableRDS(on) = 1.1Fast SwitchingEase of parallelingSimple Drive RequirementsID = 0.63ADescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designerwith the best combination of fast switching, ruggedized device desi

 ..3. Size:1238K  vishay
 irfd224 sihfd224.pdf pdf_icon

IRFD224

IRFD224, SiHFD224Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 250 Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.1 RoHS For Automatic InsertionCOMPLIANT Qg (Max.) (nC) 14 End StackableQgs (nC) 2.7 Fast SwitchingQgd (nC) 7.8 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive RequirementsD Co

 ..4. Size:1237K  vishay
 irfd224pbf sihfd224.pdf pdf_icon

IRFD224

IRFD224, SiHFD224Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 250 Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.1 RoHS For Automatic InsertionCOMPLIANT Qg (Max.) (nC) 14 End StackableQgs (nC) 2.7 Fast SwitchingQgd (nC) 7.8 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive RequirementsD Co

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFBL12N50A , IRFD014 , IRFD024 , IRFD110 , IRFD120 , IRFD210 , IRFD214 , IRFD220 , AO3407 , IRFD310 , IRFD320 , IRFD420 , IRFD9014 , IRFD9024 , IRFD9110 , IRFD9120 , IRFD9210 .

History: PJD2NA60H | SSF32E0E

 

 
Back to Top

 


 
.