Справочник MOSFET. IRFD310

 

IRFD310 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFD310
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 17(max) nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.6 Ohm
   Тип корпуса: HD-1
 

 Аналог (замена) для IRFD310

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFD310 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:980K  international rectifier
 irfd310pbf.pdf pdf_icon

IRFD310

PD- 95932IRFD310PbF Lead-Free10/28/04Document Number: 91133 www.vishay.com1IRFD310PbFDocument Number: 91133 www.vishay.com2IRFD310PbFDocument Number: 91133 www.vishay.com3IRFD310PbFDocument Number: 91133 www.vishay.com4IRFD310PbFDocument Number: 91133 www.vishay.com5IRFD310PbFDocument Number: 91133 www.vishay.com6IRFD310PbFDocument Number: 91

 ..2. Size:303K  international rectifier
 irfd310.pdf pdf_icon

IRFD310

PD -9.1225IRFD310HEXFET Power MOSFETDynamic dv/dt RatingRepetitive Avalanche RatedVDSS = 400VFor Automatic InsertionEnd StackableRDS(on) = 3.6Fast SwitchingEase of parallelingSimple Drive RequirementsID = 0.35ADescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designerwith the best combination of fast switching, ruggedized device desi

 ..3. Size:1324K  vishay
 irfd310 sihfd310.pdf pdf_icon

IRFD310

IRFD310, SiHFD310Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 400Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 3.6RoHS* For Automatic InsertionCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 17 End StackableQgs (nC) 3.4 Fast SwitchingQgd (nC) 8.5 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requirement

 ..4. Size:1325K  vishay
 irfd310pbf sihfd310.pdf pdf_icon

IRFD310

IRFD310, SiHFD310Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 400Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 3.6RoHS* For Automatic InsertionCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 17 End StackableQgs (nC) 3.4 Fast SwitchingQgd (nC) 8.5 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requirement

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFD014 , IRFD024 , IRFD110 , IRFD120 , IRFD210 , IRFD214 , IRFD220 , IRFD224 , 5N50 , IRFD320 , IRFD420 , IRFD9014 , IRFD9024 , IRFD9110 , IRFD9120 , IRFD9210 , IRFD9220 .

 

 
Back to Top

 


 
.