AON3414 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AON3414

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для AON3414

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON3414 даташит

 ..1. Size:310K  1
 aon3414.pdf pdf_icon

AON3414

AON3414 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 10.5A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:310K  aosemi
 aon3414.pdf pdf_icon

AON3414

AON3414 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 10.5A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:227K  aosemi
 aon3419.pdf pdf_icon

AON3414

AON3419 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS The AON3419 combines advanced trench MOSFET -30V technology with a low resistance package to provide ID (at VGS=-10V) -10A extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS=-10V)

 9.1. Size:418K  aosemi
 aon3406.pdf pdf_icon

AON3414

AON3406 30V N-Channel MOSFET General Description Features The AON3406 uses advanced trench technology to VDS (V) = 30V provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This ID = 10A (VGS = 10V) device is suitable for use as a load switch or in PWM RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOI2610, AOI2610E, AOI2614, AOI66406, AOK60N30L, AOL1404G, AOL1454G, AON2392, STF13NM60N, AON3820, AON5802BG, AON5816, AON6144, AON6152, AON6154, AON6156, AON6160