Справочник MOSFET. AON6160

 

AON6160 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON6160
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1050 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00158 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для AON6160

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6160 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:322K  aosemi
 aon6160.pdf pdf_icon

AON6160

AON6160TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:337K  aosemi
 aon6162.pdf pdf_icon

AON6160

AON6162TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 100A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:312K  1
 aon6144.pdf pdf_icon

AON6160

AON614440V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 40V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:318K  aosemi
 aon6156.pdf pdf_icon

AON6160

AON615645V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 45V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AOK66613 | BUK6C2R1-55C

 

 
Back to Top

 


 
.