AON6162 - аналоги и даташиты транзистора

 

AON6162 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AON6162
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для AON6162

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6162 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:337K  aosemi
 aon6162.pdf pdf_icon

AON6162

AON6162TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 100A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:322K  aosemi
 aon6160.pdf pdf_icon

AON6162

AON6160TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:312K  1
 aon6144.pdf pdf_icon

AON6162

AON614440V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 40V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:318K  aosemi
 aon6156.pdf pdf_icon

AON6162

AON615645V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 45V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON3820 , AON5802BG , AON5816 , AON6144 , AON6152 , AON6154 , AON6156 , AON6160 , IRF9640 , AON6224 , AON6220 , AON6224A , AON6226 , AON6232A , AON6262E , AON6264E , AON6266E .

History: IRFN350 | AOB20S60 | AP2325GEN

 

 
Back to Top

 


 
.