AON6162 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AON6162

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для AON6162

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6162 даташит

 ..1. Size:337K  aosemi
 aon6162.pdf pdf_icon

AON6162

AON6162 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 100A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:322K  aosemi
 aon6160.pdf pdf_icon

AON6162

AON6160 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:312K  1
 aon6144.pdf pdf_icon

AON6162

AON6144 40V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MV MOSFET technology 40V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:318K  aosemi
 aon6156.pdf pdf_icon

AON6162

AON6156 45V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MV MOSFET technology 45V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AON3820, AON5802BG, AON5816, AON6144, AON6152, AON6154, AON6156, AON6160, IRF1405, AON6224, AON6220, AON6224A, AON6226, AON6232A, AON6262E, AON6264E, AON6266E