AON6226 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AON6226

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 108 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0079 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для AON6226

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6226 даташит

 ..1. Size:330K  aosemi
 aon6226.pdf pdf_icon

AON6226

AON6226 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 48A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:295K  aosemi
 aon6224a.pdf pdf_icon

AON6226

 8.2. Size:221K  aosemi
 aon6224.pdf pdf_icon

AON6226

AON6224 100V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MV MOSFET technology 100V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 34A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:324K  aosemi
 aon6220.pdf pdf_icon

AON6226

AON6220 TM 100V Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 48A Low RDS(ON) Logic Driven RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AON6152, AON6154, AON6156, AON6160, AON6162, AON6224, AON6220, AON6224A, IRF830, AON6232A, AON6262E, AON6264E, AON6266E, AON6268, AON6276, AON6284A, AON6312