Справочник MOSFET. AON6226

 

AON6226 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON6226
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 108 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0079 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для AON6226

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6226 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:330K  aosemi
 aon6226.pdf pdf_icon

AON6226

AON6226TM 100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 48A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:295K  aosemi
 aon6224a.pdf pdf_icon

AON6226

AON6224ATM 100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 34A Low RDS(ON) Logicl Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:221K  aosemi
 aon6224.pdf pdf_icon

AON6226

AON6224100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 100V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 34A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:324K  aosemi
 aon6220.pdf pdf_icon

AON6226

AON6220TM100V Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 48A Low RDS(ON) Logic Driven RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON6152 , AON6154 , AON6156 , AON6160 , AON6162 , AON6224 , AON6220 , AON6224A , IRF1405 , AON6232A , AON6262E , AON6264E , AON6266E , AON6268 , AON6276 , AON6284A , AON6312 .

History: IXTH22N50P | MS4N60C | AM4922N | IRF6637

 

 
Back to Top

 


 
.