Справочник MOSFET. AON6266E

 

AON6266E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON6266E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0132 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для AON6266E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6266E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:565K  aosemi
 aon6266e.pdf pdf_icon

AON6266E

AON6266ETM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 24A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:368K  aosemi
 aon6266.pdf pdf_icon

AON6266E

AON626660V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS MV) technology 60V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:334K  1
 aon6262e.pdf pdf_icon

AON6266E

AON6262ETM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 40A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:334K  aosemi
 aon6262e.pdf pdf_icon

AON6266E

AON6262ETM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 40A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON6162 , AON6224 , AON6220 , AON6224A , AON6226 , AON6232A , AON6262E , AON6264E , EMB04N03H , AON6268 , AON6276 , AON6284A , AON6312 , AON6314 , AON6354 , AON6358 , AON6360 .

History: 12N70L-TF1-T | 19N10L-TM3-T | AP90N03Q | SGSP362 | 17P10G-TN3-R | UT3406 | 15NM70L-TM3-T

 

 
Back to Top

 


 
.