AON6266E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AON6266E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0132 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для AON6266E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6266E даташит

 ..1. Size:565K  aosemi
 aon6266e.pdf pdf_icon

AON6266E

AON6266E TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 24A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:368K  aosemi
 aon6266.pdf pdf_icon

AON6266E

AON6266 60V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS MV) technology 60V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:334K  1
 aon6262e.pdf pdf_icon

AON6266E

AON6262E TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 40A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:334K  aosemi
 aon6262e.pdf pdf_icon

AON6266E

AON6262E TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 40A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AON6162, AON6224, AON6220, AON6224A, AON6226, AON6232A, AON6262E, AON6264E, AON7403, AON6268, AON6276, AON6284A, AON6312, AON6314, AON6354, AON6358, AON6360