AON6358 - аналоги и даташиты транзистора

 

AON6358 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AON6358
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для AON6358

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6358 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:344K  aosemi
 aon6358.pdf pdf_icon

AON6358

AON635830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:346K  1
 aon6354.pdf pdf_icon

AON6358

AON635430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 83A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:346K  aosemi
 aon6354.pdf pdf_icon

AON6358

AON635430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 83A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:339K  1
 aon6382.pdf pdf_icon

AON6358

AON638230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON6264E , AON6266E , AON6268 , AON6276 , AON6284A , AON6312 , AON6314 , AON6354 , IRFB7545 , AON6360 , AON6362 , AON6366E , AON6368 , AON6370 , AON6372 , AON6380 , AON6382 .

History: TK40A06N1 | SUD35N10-26P | WNM2034 | WML10N70D1 | WMJ26N60C4 | FCD260N65S3 | BSD235N

 

 
Back to Top

 


 
.