2N6661-220M - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2N6661-220M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 90 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
Тип корпуса: TO220M
Аналог (замена) для 2N6661-220M
2N6661-220M Datasheet (PDF)
2n6661-2.pdf

2N6661, 2N6661-2, 2N6661JANTX, 2N6661JANTXVwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 90 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Military QualifiedVDS (V) 90 Low On-Resistence: 3.6 RDS(on) () at VGS = 10 V 4 Low Threshold: 1.6 VConfiguration Single Low Input Capacitance: 35 pF Fast Switching Speed: 6 nsTO-205AD Low Input and Output Leakage(TO-39
2n6661 vn88afd.pdf

2N6661/VN88AFDVishay SiliconixN-Channel 80-V and 90-V (D-S) MOSFETSPRODUCT SUMMARYPart Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A)2N6661 90 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.9VN88AFD 80 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 1.29FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Low On-Resistance: 3.6 W D Low Offset Voltage D Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOSD Low Threshold: 1.6 V D Low-Voltage O
2n6661.pdf

Supertex inc.2N6661N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeaturesGeneral DescriptionThe Supertex 2N6661 is an enhancement-mode (normally- Free from secondary breakdownoff) transistor that utilizes a vertical DMOS structure Low power drive requirementand Supertexs well-proven silicon-gate manufacturing Ease of parallelingprocess. This combination produc
2n6660 2n6661.pdf

2N66602N6661N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETsOrdering InformationOrder Number / PackageBVDSS /RDS(ON) ID(ON)BVDGS (max) (min) TO-3960V 3.0 1.5A 2N666090V 4.0 1.5A 2N6661High Reliability Devices Advanced DMOS TechnologySee pages 5-4 and 5-5 for MILITARY STANDARD ProcessThese enhancement-mode (normally-off) transistors utilize aFlows and Ordering Informa
Другие MOSFET... 2N6659-SM , 2N6660 , 2N6660JAN , 2N6660JANTX , 2N6660JANTXV , 2N6660-LCC4 , 2N6660-SM , 2N6661 , IRF9540 , 2N6661JAN , 2N6661JANTX , 2N6661JANTXV , 2N6661-LCC4 , 2N6661SM , 2N6755 , 2N6756 , 2N6756JAN .
History: IPD80R4K5P7 | 2N6788JANTXV | SSF2437E
History: IPD80R4K5P7 | 2N6788JANTXV | SSF2437E



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T | APG80N10P | APG80N10NF | APG60N10T | APG60N10P | AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T
Popular searches
2n5551 | irf540n | irf3205 mosfet | 2n3055 | irfp260n | 2n2222 datasheet | irf9540 | 2n3055 datasheet