AON6548 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AON6548  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1680 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AON6548

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6548 даташит

 ..1. Size:536K  aosemi
aon6548.pdfpdf_icon

AON6548

AON6548 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:299K  aosemi
aon6542.pdfpdf_icon

AON6548

AON6542 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:426K  aosemi
aon6544.pdfpdf_icon

AON6548

AON6544 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:282K  1
aon6512.pdfpdf_icon

AON6548

AON6512 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 150A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... AON6368, AON6370, AON6372, AON6380, AON6382, AON6384, AON6406, AON6528, 50N06, AON6560, AON6590, AON6661, AON6667, AON6734, AON6764, AON6792, AON6794