AON7262E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AON7262E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 19 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3EP
AON7262E Datasheet (PDF)
aon7262e.pdf
AON7262ETM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 34A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aon7262e.pdf
AON7262ETM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 34A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aon7264e.pdf
AON7264ETM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 28A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aon7264e.pdf
AON7264ETM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 28A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aon7264c.pdf
AON7264CTM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 24A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918