AON7518 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AON7518

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V

tr ⓘ - Время нарастания: 24.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 436 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3EP

Аналог (замена) для AON7518

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON7518 даташит

 ..1. Size:213K  aosemi
 aon7518.pdf pdf_icon

AON7518

AON7518 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 24A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:251K  aosemi
 aon7510.pdf pdf_icon

AON7518

AON7510 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 75A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:269K  aosemi
 aon7516.pdf pdf_icon

AON7518

AON7516 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:270K  aosemi
 aon7514.pdf pdf_icon

AON7518

AON7514 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AON7246E, AON7262E, AON7264E, AON7318, AON7380, AON7404G, AON7422G, AON7442, IRLB4132, AON7566, AON7568, AONE36132, AONE36182, AONR21307, AONR21357, AONR32314, AONR36366