AON7518 - аналоги и даташиты транзистора

 

AON7518 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AON7518
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 436 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3EP
 

 Аналог (замена) для AON7518

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON7518 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  aosemi
 aon7518.pdf pdf_icon

AON7518

AON751830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 24A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:251K  aosemi
 aon7510.pdf pdf_icon

AON7518

AON751030V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 75A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:269K  aosemi
 aon7516.pdf pdf_icon

AON7518

AON751630V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:270K  aosemi
 aon7514.pdf pdf_icon

AON7518

AON751430V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON7246E , AON7262E , AON7264E , AON7318 , AON7380 , AON7404G , AON7422G , AON7442 , IRLB4132 , AON7566 , AON7568 , AONE36132 , AONE36182 , AONR21307 , AONR21357 , AONR32314 , AONR36366 .

History: IXTA10P50P

 

 
Back to Top

 


 
.