AONS66406 - аналоги и даташиты транзистора

 

AONS66406 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AONS66406
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0061 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для AONS66406

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS66406 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:328K  aosemi
 aons66406.pdf pdf_icon

AONS66406

AONS66406TM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 30A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:362K  aosemi
 aons66402t.pdf pdf_icon

AONS66406

AONS66402TTM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 224A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:427K  aosemi
 aons66407.pdf pdf_icon

AONS66406

AONS66407TM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 370A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.3. Size:414K  aosemi
 aons66408.pdf pdf_icon

AONS66406

AONS66408TM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 85A Very Low RDS(ON) Excellent gate charge x RDS(ON) product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AONS21357 , AONS32306 , AONS32314 , AONS62602 , AONS62614 , AONS62618 , AONS62922 , AONS66402 , TK10A60D , AONS66916 , AOSD62666E , AOSP21307 , AOSP21357 , AOSP32314 , AOSP32368 , AOSP66406 , AOT2140L .

 

 
Back to Top

 


 
.