AONS66406 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AONS66406

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0061 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для AONS66406

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS66406 даташит

 ..1. Size:328K  aosemi
 aons66406.pdf pdf_icon

AONS66406

AONS66406 TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 30A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:362K  aosemi
 aons66402t.pdf pdf_icon

AONS66406

AONS66402T TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 224A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:427K  aosemi
 aons66407.pdf pdf_icon

AONS66406

AONS66407 TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 370A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.3. Size:414K  aosemi
 aons66408.pdf pdf_icon

AONS66406

AONS66408 TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 85A Very Low RDS(ON) Excellent gate charge x RDS(ON) product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AONS21357, AONS32306, AONS32314, AONS62602, AONS62614, AONS62618, AONS62922, AONS66402, TK10A60D, AONS66916, AOSD62666E, AOSP21307, AOSP21357, AOSP32314, AOSP32368, AOSP66406, AOT2140L