AOTF2146L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AOTF2146L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для AOTF2146L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOTF2146L даташит

 ..1. Size:332K  aosemi
 aotf2146l.pdf pdf_icon

AOTF2146L

AOTF2146L TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 80A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:250K  inchange semiconductor
 aotf2146l.pdf pdf_icon

AOTF2146L

isc N-Channel MOSFET Transistor AOTF2146L FEATURES Drain Current I = 105A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 40V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 2.8m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general pur

 7.1. Size:301K  1
 aotf2144l.pdf pdf_icon

AOTF2146L

AOTF2144L 40V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MV MOSFET technology 40V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 90A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:357K  aosemi
 aotf2144l.pdf pdf_icon

AOTF2146L

AOTF2144L 40V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MV MOSFET technology 40V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 90A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOT2142L, AOT2146L, AOT2502L, AOT2904, AOT2906, AOTF190A60L, AOTF20C60P, AOTF2142L, IRFZ24N, AOTF2210L, AOTF286L, AOTF290L, AOTF292L, AOTF296L, AOW2502, AOW290, AOW292