AOTF2210L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AOTF2210L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 74 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для AOTF2210L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOTF2210L даташит

 ..1. Size:200K  inchange semiconductor
 aotf2210l.pdf pdf_icon

AOTF2210L

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor AOTF2210L FEATURES With low gate drive requirements Easy to drive 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 200 V DSS V Gate

 8.1. Size:534K  aosemi
 aotf22n50.pdf pdf_icon

AOTF2210L

AOT22N50/AOTF22N50 500V,22A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 600V@150 The AOT22N50 & AOTF22N50 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 22A designed to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:398K  aosemi
 aot22n50 aotf22n50.pdf pdf_icon

AOTF2210L

AOT22N50/AOTF22N50 500V,22A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 600V@150 The AOT22N50 & AOTF22N50 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 22A designed to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:251K  inchange semiconductor
 aotf22n50.pdf pdf_icon

AOTF2210L

isc N-Channel MOSFET Transistor AOTF22N50 FEATURES Drain Current I = 22A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.26 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general pur

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOT2146L, AOT2502L, AOT2904, AOT2906, AOTF190A60L, AOTF20C60P, AOTF2142L, AOTF2146L, 2N60, AOTF286L, AOTF290L, AOTF292L, AOTF296L, AOW2502, AOW290, AOW292, AOW296