AP9970AGP - описание и поиск аналогов

 

AP9970AGP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9970AGP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 277.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для AP9970AGP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9970AGP даташит

 ..1. Size:149K  ape
ap9970agp.pdfpdf_icon

AP9970AGP

AP9970AGP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 3m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 235A G S Description AP9970A series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achiev

 0.1. Size:93K  ape
ap9970agp-hf.pdfpdf_icon

AP9970AGP

AP9970AGP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 3m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 250A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance

 8.1. Size:94K  ape
ap9970gp-hf.pdfpdf_icon

AP9970AGP

AP9970GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 3.2m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 240A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G ruggedized device design, low on-resist

 8.2. Size:92K  ape
ap9970gi-hf.pdfpdf_icon

AP9970AGP

AP9970GI-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 3.2m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 100A G S Description AP9970 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on- G resistance and fa

Другие MOSFET... AP97T07GP , AP9970GW , AP75N07AGP , AP75N07GP , AP75N07GS , AP85T10GP , AP95T07AGP , AP95T07GP , 60N06 , AP9581GP , AP9581GS , AP9591GP , AP9591GS , AP98T06GS , AP09N90CW , AP3990R , AP16N50P .

History: OSG65R900DTF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.