Справочник MOSFET. AP09N90CW

 

AP09N90CW Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP09N90CW
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.6 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 516 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для AP09N90CW

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP09N90CW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:217K  ape
ap09n90cw.pdfpdf_icon

AP09N90CW

AP09N90CW-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Minimize On-resistance D BVDSS 900V Fast Switching RDS(ON) 1.4 Simple Drive Requirement ID 7.6AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP09N90C series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest possible

 0.1. Size:60K  ape
ap09n90cw-hf.pdfpdf_icon

AP09N90CW

AP09N90CW-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Minimize On-resistance D BVDSS 900V Fast Switching RDS(ON) 1.4 Simple Drive Requirement ID 7.6AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP09N90C provides minimize on-state resistance , superior switchingperformance and high efficiency switching power su

 7.1. Size:97K  ape
ap09n90w.pdfpdf_icon

AP09N90CW

AP09N90WRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche test D BVDSS 900V Fast Switching RDS(ON) 1.2 Simple Drive Requirement ID 8.6AGSDescriptionAP09N90 series are specially designed as main switching devices foruniversal 90~265VAC off-line AC/DC converter applications. TO- 3Ptype provide high block

 9.1. Size:238K  ape
ap09n20h.pdfpdf_icon

AP09N90CW

AP09N20H/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 200VD Low On-resistance RDS(ON) 380m Fast Switching Characteristics ID 8.6A RoHS CompliantGSDescriptionAP09N20 series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achieve the lowest possibl

Другие MOSFET... AP95T07AGP , AP95T07GP , AP9970AGP , AP9581GP , AP9581GS , AP9591GP , AP9591GS , AP98T06GS , IRF740 , AP3990R , AP16N50P , AP80T10GP , AP80T10GR , AP09N70R-A , AP3989R , AP98T03GS , AP75T10BGP .

History: P0806AT | P2004EV | SSH4N55 | 2SK2717 | IRF5806PBF | SE8810A | 2SK4075B

 

 
Back to Top

 


 
.