AP80T10GR - описание и поиск аналогов

 

AP80T10GR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP80T10GR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для AP80T10GR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP80T10GR даташит

 ..1. Size:193K  ape
ap80t10gr.pdfpdf_icon

AP80T10GR

AP80T10GR-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Low On-resistance RDS(ON) 9.5m Fast Switching Characteristic ID 85A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggediz

 0.1. Size:92K  ape
ap80t10gr-hf.pdfpdf_icon

AP80T10GR

AP80T10GR-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Low On-resistance RDS(ON) 9.5m Fast Switching Characteristic ID 85A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggediz

 6.1. Size:150K  ape
ap80t10gp.pdfpdf_icon

AP80T10GR

AP80T10GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Low On-resistance RDS(ON) 9.5m Fast Switching Characteristic ID 85A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP80T10 series are from Advanced Power innovate

 6.2. Size:92K  ape
ap80t10gp-hf.pdfpdf_icon

AP80T10GR

AP80T10GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Low On-resistance RDS(ON) 9.5m Fast Switching Characteristic ID 85A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G rugg

Другие MOSFET... AP9581GS , AP9591GP , AP9591GS , AP98T06GS , AP09N90CW , AP3990R , AP16N50P , AP80T10GP , IRF540 , AP09N70R-A , AP3989R , AP98T03GS , AP75T10BGP , AP75T10GP , AP75T12GP , AP85T08GS , AP95T06GP .

History: 2SK316 | ME8107-G | 2SK2287 | ME80N75T-G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.