Справочник MOSFET. AP85T08GS

 

AP85T08GS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP85T08GS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 670 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для AP85T08GS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP85T08GS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:97K  ape
ap85t08gp ap85t08gs.pdfpdf_icon

AP85T08GS

AP85T08GS/PRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 80V Lower On-resistance RDS(ON) 13m Fast Switching Characteristic ID 75AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, ruggedized device design, low on-GD

 ..2. Size:204K  ape
ap85t08gs.pdfpdf_icon

AP85T08GS

AP85T08GS-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 80V Lower On-resistance RDS(ON) 13m Fast Switching Characteristic ID 75AG Halogen Free & RoHS Compliant ProductSDescriptionAP85T08 series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve t

 0.1. Size:97K  ape
ap85t08gsp-hf.pdfpdf_icon

AP85T08GS

AP85T08GS/P-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 80V Lower On-resistance RDS(ON) 13m Fast Switching Characteristic ID 75AG Halogen Free & RoHS Compliant ProductSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switchin

 8.1. Size:98K  ape
ap85t03gh-hf ap85t03gj-hf.pdfpdf_icon

AP85T08GS

AP85T03GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 75AG RoHS CompliantSDescriptionGDSTO-252(H)The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrialsurface mount applications and suite

Другие MOSFET... AP80T10GP , AP80T10GR , AP09N70R-A , AP3989R , AP98T03GS , AP75T10BGP , AP75T10GP , AP75T12GP , IRF640N , AP95T06GP , AP95T06GS , AP40T10GH , AP40T10GP , AP85T03GP , AP85T03GS , AP2761S-A , AP2R803GJB .

History: NTB18N06G | IRF034 | BUK9K35-60E

 

 
Back to Top

 


 
.