AP72T02GH - описание и поиск аналогов

 

AP72T02GH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP72T02GH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AP72T02GH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP72T02GH даташит

 ..1. Size:192K  ape
ap72t02gh.pdfpdf_icon

AP72T02GH

AP72T02GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D BVDSS 25V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Low On-resistance ID 62A Fast Switching Characteristic G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

 ..2. Size:104K  ape
ap72t02gh j-hf.pdfpdf_icon

AP72T02GH

AP72T02GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 25V Low On-resistance RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID 62A G RoHS Compliant S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G ruggedized device de

 8.1. Size:94K  ape
ap72t03gp.pdfpdf_icon

AP72T02GH

AP72T03GP RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 30V Low On-resistance RDS(ON) 9.5m Fast Switching Characteristic ID 65A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance

 8.2. Size:96K  ape
ap72t03gh ap72t03gj.pdfpdf_icon

AP72T02GH

AP72T03GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 30V Low On-resistance RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID 62A G S Description G D S TO-252(H) Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design,

Другие MOSFET... AP80N03GP , AP86T02GH , AP86T02GJ , AP86T02GJB , AP09N20H , AP09N20J , AP70T15GI , AP02N90P , STP80NF70 , AP83T03GJ , AP95T10GI , AP04N60J , APS04N60H , AP03N70H , AP03N70J , AP3P9R0H , AP3P9R0J .

History: 2SK2169 | SSM3K72KFS | AP9922GEO | STW6N95K5 | LSD80R980GT | ME2345A-G | AP3P028LM

 

 

 

 

↑ Back to Top
.