Справочник MOSFET. AP3P9R0J

 

AP3P9R0J Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP3P9R0J
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для AP3P9R0J

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3P9R0J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  ape
 ap3p9r0j.pdf pdf_icon

AP3P9R0J

AP3P9R0JHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -63AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP3P9R0 series are from Advanced Power innovated design and silicon GDSTO-251(J)process technology to ach

 0.1. Size:57K  ape
 ap3p9r0jb.pdf pdf_icon

AP3P9R0J

AP3P9R0JBHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -63AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP3P9R0 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest po

 7.1. Size:59K  ape
 ap3p9r0p.pdf pdf_icon

AP3P9R0J

AP3P9R0PHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -63AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP3P9R0 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest pos

 7.2. Size:59K  ape
 ap3p9r0i.pdf pdf_icon

AP3P9R0J

AP3P9R0IHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -48AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP3P9R0 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest poss

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP72T02GH , AP83T03GJ , AP95T10GI , AP04N60J , APS04N60H , AP03N70H , AP03N70J , AP3P9R0H , 5N65 , AP3P9R0JB , AP3P9R0P , AP6679BGH , AP6679BGJ , AP6679BGJB , AP9561GJ , AP70T03GJ , AP70T03GJB .

History: CSD87353Q5D | HGN028NE6A | IRFBC40SPBF

 

 
Back to Top

 


 
.