AP60T03GH - описание и поиск аналогов

 

AP60T03GH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP60T03GH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AP60T03GH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP60T03GH даташит

 ..1. Size:186K  ape
ap60t03gh.pdfpdf_icon

AP60T03GH

AP60T03GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V Low Gate Charge RDS(ON) 12m Fast Switching Characteristic ID 45A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP60T03 series are from Advanced Power innovated d

 ..2. Size:98K  ape
ap60t03gh j-hf.pdfpdf_icon

AP60T03GH

AP60T03GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 30V Low Gate Charge RDS(ON) 12m Fast Switching Characteristic ID 45A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized

 ..3. Size:98K  ape
ap60t03gh j ap60t03gj ap60t03gh.pdfpdf_icon

AP60T03GH

AP60T03GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 30V Low Gate Charge RDS(ON) 12m Fast Switching Characteristic ID 45A G RoHS Compliant S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design,

 6.1. Size:121K  ape
ap60t03gi.pdfpdf_icon

AP60T03GH

AP60T03GI RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D Low Gate Charge RDS(ON) 12m Fast Switching ID 45A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effective

Другие MOSFET... AP6679BGJB , AP9561GJ , AP70T03GJ , AP70T03GJB , AP16N50I , AP0904GH , AP0904GJB , AP75T10GI , 8N60 , AP01N60J , AP9563GH , AP9563GJ , AP9971GP , AP9971GS , AP40T10GI , AP2764AI-A , AP20N15GI .

History: IPP086N10N3 | JCS18N50WH | AP9962AGM | AP0904GH | AP15TP1R0M | MME65R280QRH | STF13NM60ND

 

 

 

 

↑ Back to Top
.