Справочник MOSFET. AP01N60J

 

AP01N60J Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP01N60J
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для AP01N60J

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP01N60J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:196K  ape
ap01n60j.pdfpdf_icon

AP01N60J

AP01N60J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 600VD Fast Switching Characteristics RDS(ON) 8 Simple Drive Requirement ID 1.6AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGDS TO-251(J)AP01N60 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology

 7.1. Size:98K  ape
ap01n60hj-hf.pdfpdf_icon

AP01N60J

AP01N60H/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 600VD Fast Switching Characteristics RDS(ON) 8 Simple Drive Requirement ID 1.6AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGThe TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrialDSTO-252(H)surface mount ap

 7.2. Size:60K  ape
ap01n60p.pdfpdf_icon

AP01N60J

AP01N60PPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Dynamic dv/dt Rating BVDSS 600V Repetitive Avalanche Rated RDS(ON) 8 Fast Switching ID 1.6A Simple Drive Requirement GDTO-220S RoHS CompliantDescriptionDThe TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications. The de

 9.1. Size:56K  ape
ap01n40g-hf.pdfpdf_icon

AP01N60J

AP01N40G-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 400VD 100% Avalanche Test RDS(ON) 16 Fast Switching Performance ID 0.2AG Simple Drive RequirementSDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withSthe best combination of fast switching, ruggedized device

Другие MOSFET... AP9561GJ , AP70T03GJ , AP70T03GJB , AP16N50I , AP0904GH , AP0904GJB , AP75T10GI , AP60T03GH , AO3401 , AP9563GH , AP9563GJ , AP9971GP , AP9971GS , AP40T10GI , AP2764AI-A , AP20N15GI , AP9567GH .

History: AUIRFB4227 | CTD06N017 | TPCA8009-H | HM18N40F | P3606HK | AO6801E

 

 
Back to Top

 


 
.