AP9563GH - описание и поиск аналогов

 

AP9563GH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9563GH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AP9563GH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9563GH даташит

 ..1. Size:235K  ape
 ap9563gh.pdf pdf_icon

AP9563GH

AP9563GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower Gate Charge BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 40m Fast Switching Characteristic ID -26A G RoHS Compliant S Description G Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-252(H) designer with the best combination of fast switching, r

 0.1. Size:99K  ape
 ap9563gh-hf ap9563gj-hf.pdf pdf_icon

AP9563GH

AP9563GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower Gate Charge BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 40m Fast Switching Characteristic ID -26A G RoHS Compliant S Description G Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-252(H) designer with the best combination of fast switching, r

 7.1. Size:178K  ape
 ap9563gm.pdf pdf_icon

AP9563GH

AP9563GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40V D D D Lower Gate Charge RDS(ON) 40m D Fast Switching Characteristic ID -6A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D AP9563 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology

 7.2. Size:57K  ape
 ap9563gm-hf.pdf pdf_icon

AP9563GH

AP9563GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40V D D D Lower Gate Charge RDS(ON) 40m D Fast Switching Characteristic ID -6A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fa

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP70T03GJ , AP70T03GJB , AP16N50I , AP0904GH , AP0904GJB , AP75T10GI , AP60T03GH , AP01N60J , 75N75 , AP9563GJ , AP9971GP , AP9971GS , AP40T10GI , AP2764AI-A , AP20N15GI , AP9567GH , AP9987GH .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.