AP9977GJV - описание и поиск аналогов

 

AP9977GJV. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9977GJV

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO251VS

Аналог (замена) для AP9977GJV

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9977GJV даташит

 ..1. Size:207K  ape
ap9977gjv.pdfpdf_icon

AP9977GJV

AP9977GJV Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 100m Fast Switching Performance ID 11A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP9977 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible

 6.1. Size:101K  ape
ap9977gh-hf ap9977gj-hf.pdfpdf_icon

AP9977GJV

AP9977GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 60V D Single Drive Requirement RDS(ON) 100m Surface Mount Package ID 11A G RoHS Compliant S Description G Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-252(H) designer with the best combination of fast switching, ruggedized d

 7.1. Size:212K  ape
ap9977gm.pdfpdf_icon

AP9977GJV

AP9977GM RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 60V D2 Single Drive Requirement RDS(ON) 100m D2 D1 Surface Mount Package ID 3.3A D1 G2 S2 G1 S1 Description D2 D1 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device des

 7.2. Size:181K  ape
ap9977gm-hf.pdfpdf_icon

AP9977GJV

AP9977GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 60V D2 D2 D1 Simple Drive Requirement RDS(ON) 100m D1 Surface Mount Package ID 3.3A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 S1 SO-8 Description AP9977 series are from Advanced Power innovated design and D2 D1 silicon process tech

Другие MOSFET... AP9962AGP , AP9973GH , AP9973GJ , AP15N03GH , AP03N90I , AP3310GH , AP6679BMT , AP02N60I-A , IRF640 , AP20T03GH , AP20T03GJ , AP4578GH , AP4430GM , AP9420GM , AP9408GM , AP0403GM , AP0603GM .

History: AP15T15GM | AP15T25H-HF | IRFS240B | SI1032X | AP04N60J | LSD65R570GT | AP3P9R0J

 

 

 

 

↑ Back to Top
.